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1个N沟道 场效应管 4.5A SOT 电流 100V 耐压 MOSFET VBJ1101M
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2.15
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1个N沟道 场效应管 15A 252 电流 100V 耐压 MOSFET VBE1101M
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2.06
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1个N沟道 场效应管 25A 252 电流 100V 耐压 MOSFET VBE1106N
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3.08
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3.08
君雄电子三
1个N沟道 场效应管 15A 252 电流 100V 耐压 MOSFET VBE1101M
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2.06
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2.06
皓芯微
1个N沟道 场效应管 20A 252 电流 100V 耐压 MOSFET VBE1102M
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1个N沟道 场效应管 4.5A SOT 电流 100V 耐压 MOSFET VBJ1101M
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2.15
君雄电子三
1个N沟道 场效应管 45A 263 电流 100V 耐压 MOSFET VBL1104N
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4.61
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皓芯微
1个N沟道 场效应管 100A 电流 100V 耐压 MOSFET VBL1101N
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皓芯微
1个N沟道 场效应管 25A 252 电流 100V 耐压 MOSFET VBE1106N
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皓芯微
1个N沟道 场效应管 100A ITO 电流 100V 耐压 MOSFET VBM1101N
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1个N沟道 场效应管 70A ITO 电流 100V 耐压 MOSFET VBM1102N
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皓芯微
1个N沟道 场效应管 85A 252 电流 100V 耐压 MOSFET VBE1101N
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7.94
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1个N沟道 场效应管 50A 247 电流 100V 耐压 MOSFET VBP1104N
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1个N沟道 场效应管 85A 252 电流 100V 耐压 MOSFET VBE1101N
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7.94
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224K 250V ±10%耐压 224M 100V 220nF 1210贴片电容 X7R陶瓷 50V
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可串联锂电池组保护板 达锂智能板铁锂4串100V耐压值定制款
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13N10 100V MOSFET ITO 18A 场效应管 耐压 电流 1个N沟道
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1个P沟道 场效应管 40A 252 电流 100V 耐压 MOSFET VBE2104N
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9.12
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梦韩潮电子
1个P沟道 场效应管 223 SOT 电流 100V 耐压 MOSFET VBJ2102M
原价
2.84
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梦韩潮电子
12N10 100V 252 MOSFET 15A 场效应管 耐压 电流 1个N沟道
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3.61
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梦韩潮电子
1个P沟道 场效应管 10A 263 电流 100V 耐压 MOSFET VBL2102M
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12P10 100V MOSFET 8.8A 场效应管 耐压 电流 1个P沟道
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1个P沟道 场效应管 8.8A 电流 100V 耐压 MOSFET VBE2102M
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3.92
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梦韩潮电子
1个P沟道 场效应管 10A 263 电流 100V 耐压 MOSFET VBL2102M
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4.30
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1个P沟道 场效应管 8.8A 电流 100V 耐压 MOSFET VBE2102M
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芯利来
1个P沟道 场效应管 2.5A SOIC 电流 100V 耐压 MOSFET VBA2102M
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芯利来
1个P沟道 场效应管 2.5A SOIC 电流 100V 耐压 MOSFET VBA2102M
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13N10 100V MOSFET ITO 18A 场效应管 耐压 电流 1个N沟道
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4.12
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芯利来
1个P沟道 场效应管 40A 252 电流 100V 耐压 MOSFET VBE2104N
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12P10 100V MOSFET 8.8A 场效应管 耐压 电流 1个P沟道
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