新方法 ID方法基本尺寸设计 CSM漏极电流方程使用gm 正版 模拟CMOS集成电路系统化设计 纳米尺度CMOS模拟电路集成电路设计
新方法 ID方法基本尺寸设计 CSM漏极电流方程使用gm 正版 模拟CMOS集成电路系统化设计 纳米尺度CMOS模拟电路集成电路设计
所 在 地:广东 广州 累计销量:0
店铺掌柜:  鼎思图书专营店 
商品标签:正版新方法
71.2 71.20
相关推荐